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元器件采购网 > D-227页 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式DDTA114GE-7-F

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DDTA114GE-7-F

SOT-523 Diodes Inc 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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DDTA114GE-7-F参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
说明:TRANS PREB PNP 150MW R1/2 SOT523
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):-
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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