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DDTA114GE-7-F |
SOT-523 | Diodes Inc | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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DDTA114GE-7-F参数 产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明:TRANS PREB PNP 150MW R1/2 SOT523 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):- 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:250MHz 功率 - 最大:150mW 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 信号,高达 2 AG6A-274P-ST15-US-DC9 标记STD21W-3 矩形 - 自由悬挂P25E-034S-TG 芯片电阻 - 表面RG3216N-3010-C-T5 振荡器CE3292-50.000 气体放电管 (GD2026-25-CB 板对板 - 阵列,QTH-090-01-H-D-A-K Card EdgeABB22DHBS 接口 - 驱动器,ADM213EARUZ-REEL 圆形 - 外壳MS3476W16-26AZ |